微信公众号 wechat 18117273997 wechat
2024-12-17 4 次

理解ESD HBM模型及其在半导体测试中的应用——基于LISUN ESD-883D HBM/MM ESD模拟器的集成电路测试

摘要

静电放电(ESD)是半导体设备制造和测试中的一个重要问题,因为它可能对集成电路(IC)造成重大损害。在各种ESD测试模型中,人机模型(HBM)是模拟人体接触敏感设备静电放电的最常用方法。本文深入探讨了ESD HBM模型及其在半导体行业中的应用,重点介绍LISUN ESD-883D HBM/MM ESD模拟器如何在集成电路(IC)测试中发挥作用。我们将探讨ESD HBM模型背后的原理、测试标准,以及LISUN ESD-883D系统如何满足IC测试需求,确保设备的安全性和符合性。

1. 引言

静电放电(ESD)是当两个带电物体接触或接近时发生的瞬时电流流动。ESD可能会导致半导体元件的永久性损坏,影响其可靠性和功能。在半导体测试中,人机模型(HBM)是评估设备对ESD抗扰度的最广泛接受的方法之一。

本文详细讨论了ESD HBM模型,重点介绍其测试方法和标准,并评估LISUN ESD-883D HBM/MM ESD模拟器如何为精确高效的IC测试提供支持。

2. ESD模型概述

在半导体测试中,常用的ESD模型有以下几种:

• 人机模型(HBM):模拟人体与IC接触产生的静电放电。
• 机器模型(MM):模拟机器在处理IC时产生的放电。
• 带电设备模型(CDM):模拟带电设备放电至接地物体的静电现象。

其中,ESD HBM模型尤为重要,因为它模拟了人体带电时触摸电子设备的真实场景。

3. ESD HBM模型解析

ESD HBM模型在多个标准文件中都有规定,包括ANSI/ESDA/JEDEC JS-001和MIL-STD-883。该模型模拟了人体的静电放电,人体被等效为一个100 pF的电容,通过1.5 kΩ的电阻放电。放电事件通常发生在不到150纳秒内,释放的能量可能对敏感的半导体设备造成损害。

HBM放电的特征包括其峰值电流、上升时间和波形形状。放电的严重程度通常以伏特(V)为单位进行量化,测试电压范围从500V到数千伏不等。

表1:ESD HBM波形特征

电压(V) 峰值电流(A) 上升时间(ns) 持续时间(ns)
500 0.33 2 150
1000 0.67 2 150
2000 1.33 2 150
4000 2.67 2 150

ESD-883D 半导体静电放电发生器

4. ESD测试标准

多个行业标准定义了ESD测试的参数和测试程序,尤其是HBM。这些标准有助于确保半导体设备在正常操作过程中足够坚固,能够承受潜在的ESD事件。

• ANSI/ESDA/JEDEC JS-001:规定了IC的HBM测试,定义了波形和测试条件。
• MIL-STD-883:覆盖军用设备的ESD测试,包括HBM标准。
• JEDEC JESD22-A114:用于商业应用中的HBM测试。

这些标准确保ESD测试能模拟现实环境,使制造商能够更好地保护IC免受静电损害。

5. LISUN ESD-883D HBM/MM ESD模拟器

LISUN ESD-883D HBM/MM ESD模拟器是一款先进的测试系统,能够模拟人机模型(HBM)和机器模型(MM)的放电。该系统具有精确控制测试环境的能力,并确保符合全球测试标准,包括ANSI/ESDA/JEDEC JS-001、IEC 61000-4-2和MIL-STD-883。

LISUN ESD-883D的主要功能包括:

• HBM和MM测试能力:该系统能够根据HBM和MM模型模拟静电放电,适用于广泛的测试应用。
• 可编程电压等级:模拟器提供从50V到8000V的电压设置,用户可以在不同的应力水平下测试IC。
• 准确的放电波形:该系统确保生成的波形符合全球ESD标准的严格要求。
• 用户友好的界面:LISUN ESD-883D具有直观的界面,便于设置测试和分析结果。

6. 使用LISUN ESD-883D测试IC

使用LISUN ESD-883D进行IC测试时,需考虑多个关键参数。测试电压水平和放电事件的数量根据IC在操作环境中可能遇到的ESD暴露情况进行调整。以下是使用LISUN ESD-883D的典型测试步骤:

• 步骤1:测试设置:将待测试的IC放置在接地测试平台上,配置LISUN ESD-883D的测试参数,包括电压水平和放电次数。
• 步骤2:放电:系统在指定的电压水平下放电,并仔细监测波形形状和峰值电流。
• 步骤3:评估:测试完成后,评估IC的功能损坏或性能退化情况。

表2:使用LISUN ESD-883D的示例测试结果

IC型号 测试电压(V) 放电次数 通过/失败 测试后功能
IC-A 1000 5 通过 完全正常
IC-B 2000 10 通过 性能退化
IC-C 4000 3 失败 无法正常工作

7. 半导体设计中的ESD保护策略

将ESD保护集成到半导体设备中对确保长期可靠性至关重要。设计人员采用各种策略来保护IC免受ESD损害,包括:

• 芯片内部保护二极管:这些二极管位于IC的输入和输出端,以将ESD电流引导离开敏感的内部电路。
• 接地和屏蔽:正确的接地和使用屏蔽外壳可以减少ESD暴露的风险。
• 使用防护包装:在运输和处理过程中,IC存储在防静电包装材料中,以尽量减少放电的可能性。

8. LISUN ESD-883D在IC测试中的优势

LISUN ESD-883D HBM/MM ESD模拟器在IC测试中具有以下优势:

• 精确性和可靠性:该系统确保了准确的测试条件,更容易发现IC可能的ESD脆弱点。
• 符合国际标准:LISUN ESD-883D通过符合全球标准,帮助制造商满足行业要求。
• 灵活性:通过可编程电压等级和放电次数,该系统能够为多种测试场景定制。

9. 结论

ESD HBM模型通过模拟人体接触时的静电放电,在半导体行业中发挥着重要作用。像LISUN ESD-883D HBM/MM ESD模拟器这样的设备能够根据全球标准进行精确的测试,帮助制造商确保其IC能够经受住ESD事件的考验。随着ESD仍然是半导体可靠性的重要威胁,LISUN ESD-883D这样的系统在保障IC性能和寿命方面发挥着至关重要的作用。

标签:

在线提交需求

您的电子邮件地址不会被公开。 必需的地方已做标记 *

=