半导体静电放电发生器

ESD-883D半导体静电放电发生器是参照国家军用标准GJB548A-96方法3015、国家军用标准GJB128A-97方法1020、MIL-STD-883D、EIAJED-4701、ANSI/ESD STM5.1、ANSI/ESD STM5.2、EIA/JESD22-A114-B、EIA/JESD22-A115-A的测试要求，专门为半导体器件及IC的抗静电测试而设计。

标准：
GJB548A-96方法3015 《微电子器件试验方法和程序》
GJB128A-97方法1020 《半导体分立器件试验方法》
MIL-STD-883D 《微电子器件试验方法和程序》
EIAJED-4701 《半导体器件环境和耐久性试验方法》
ANSI/ESD STM5.1 《静电放电敏感度测试》
ANSI/ESD STM5.2  《静电放电敏感度试验》
EIA/JESD22-A114- B “electrostratic discharge sensitivity test:Human Body Model(HBM)”
EIA/JESD22-A115-A “electrostratic discharge sensitivity test:machine model(MM)”
ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 “Human Body Model Testing of Integrated Circuits”
ANSI/ESDA/JEDEC JS-002  “Charged-Device Model (CDM) sensitivity levels “

设备特点
•  彩色触控LCD界面，操作简便
•  输出电压精度高、性能稳定
•  智能型程控高压电源，高压过压、过流、短路保护
•  具有自诊断功能，智能判断高压输出异常
•  高性价比：主要器件全进口，精度高、故障率低

规格参数